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J-GLOBAL ID：200902213371287987   Reference number：03A0618697

Carrier mobility in advanced CMOS devices with metal gate and HfO₂ gate dielectric

金属ゲートおよびHfO₂ゲート誘電体をもつ新型CMOSデバイスにおけるキャリア移動度

Author (7)： LIME F (IMEP, Grenoble, FRA) ,  OSHIMA K (IMEP, Grenoble, FRA) ,  CASSE M (CEA, Grenoble, FRA) ,  GHIBAUDO G (IMEP, Grenoble, FRA) ,  CRISTOLOVEANU S (IMEP, Grenoble, FRA) ,  GUILLAUMOT B (CEA, Grenoble, FRA) ,  IWAI H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 47  Issue： 10  Page： 1617-1621  Publication year： Oct. 2003 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *CMOS structure ,...
Semi thesaurus term： PMOS structure

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 金属ゲート ,  HfO2 ,  ゲート誘電体 ,  CMOS ,  キャリア移動度