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J-GLOBAL ID：200902216245909319   Reference number：03A0407352

Realization of Low Dislocation GaN/Sapphire Wafers by 3-Step Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth with Island Induced Dislocation Control

島誘起転位制御を用いた3ステップ有機金属気相エピタキシャル成長による低転位GaN/サファイアウエハの実現

Author (3)： FUJIKURA H (Hitachi Cable Ltd., Ibaraki, JPN) ,  IIZUKA K (Hitachi Cable Ltd., Ibaraki, JPN) ,  TANAKA S (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 5A  Page： 2767-2772  Publication year： May. 15, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (12)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) M. A. Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kuznia and D. T. Olson: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 1214.
• 3) I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98 (1989) 209.
• 4) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 5) X. H. Wu, P. Fini, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 231.

Terms in the title (8)： 島 ,  誘起 ,  転位 ,  有機金属 ,  気相エピタキシャル成長 ,  GaN ,  サファイア ,  ウエハ