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J-GLOBAL ID：200902218611642676   Reference number：06A0740066

Homoepitaxial Growth on a 4H-SiC C-Face Substrate

C面4H-SiC基板上へのホモエピタキシャル成長

Author (4)： KOJIMA Kazutoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KURODA Satoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA Hajime (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ARAI Kazuo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Chemical Vapor Deposition  (Chem Vap Depos)
Volume： 12  Issue： 8/9  Page： 489-494  Publication year： Aug. 2006 
JST Material Number： W0908A  ISSN： 0948-1907  CODEN： CVDEFX  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Propane

Terms in the title (3)： 4H-SiC ,  ホモ ,  エピタキシャル成長