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J-GLOBAL ID：200902221102108246   Reference number：04A0856952

Correlation between the Electrical Properties and the Interfacial Microstructures of TiAl-Based Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC

P型4H-SiCへのTiAl系Ohm接触の電気的性質と界面微細構造の間の相関

Author (5)： TSUKIMOTO S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NITTA K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SAKAI T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MORIYAMA M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MURAKAMI M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 33  Issue： 5  Page： 460-466  Publication year： May. 2004 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： P-type semiconductor ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (6)： 4H-SiC ,  TiAl ,  Ohm接触 ,  電気的性質 ,  界面微細構造 ,  相関