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J-GLOBAL ID：200902221129403304   Reference number：09A1054285

Systematic studies of Si and Ge hemispherical concave wafers prepared by plastic deformation

塑性変形により調製したSiとGeの半球凹形ウエハの系統的研究

Author (3)： NAKAJIMA Kazuo (Inst. for Materials Res. (IMR), Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  FUJIWARA Kozo (Inst. for Materials Res. (IMR), Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  MORISHITA Kohei (Inst. for Materials Res. (IMR), Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 311  Issue： 21  Page： 4587-4592  Publication year： Oct. 15, 2009 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *plastic deformation ,  *silicon ,  *Germanium ,  semiconductor ,  single crystal ,  polycrystal ,  *wafer ,  *hemisphere ,  *concave ,  crystal orientation ,  radius (length) ,  temperature dependence

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (9)： 塑性変形 ,  調製 ,  Si ,  Ge ,  半球 ,  凹形 ,  ウエハ ,  系統 ,  研究