Art

J-GLOBAL ID：200902223166394326   Reference number：06A0138891

Fabrication and characterization of vertical-type double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with ultrathin Si channel and self-aligned source and drain

超薄膜Siチャンネルおよび自己整合したソースとドレインを持つ縦型2重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターの作製と評価

Author (10)： MASAHARA Meishoku (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  LIU Yongxun (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  ENDO Kazuhiko (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  MATSUKAWA Takashi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  SAKAMOTO Kunihiro (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  ISHII Kenichi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  O'UCHI Shinichi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  SUGIMATA Etsuro (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  YAMAUCHI Hiromi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...) ,  SUZUKI Eiichi (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 7  Page： 072103-072103-3  Publication year： Feb. 13, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ultrathin film ,...
Semi thesaurus term： しきい電圧

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (12)： 超薄膜 ,  Si ,  チャンネル ,  自己整合 ,  ソース ,  ドレイン ,  縦型 ,  2重ゲート ,  酸化物 ,  電界効果トランジスター ,  作製 ,  評価