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J-GLOBAL ID：200902224024370876   Reference number：03A0552832

Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part I: Effect of C/Si ratio on wide-area homoepitaxy without 3C-SiC inclusions

化学的気相成長法によるほぼ軸上の(0001)面における6H-SiCホモエピタクシー 第1部:3C-SiC介在物のない広域ホモエピタクシーに対するC/Si比の効果

Author (3)： NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 256  Issue： 3/4  Page： 341-346  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 化学的気相成長法 ,  6H-SiC ,  ホモエピタクシー ,  1部 ,  3C-SiC ,  介在物 ,  広域 ,  SI比