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J-GLOBAL ID：200902224662222388   Reference number：08A0865784

Characteristics improvement of HfO₂/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface

HfO₂/Geゲートスタック構造のゲルマニウム表面のフッ素処理による特性改善

Author (4)： LEE Hyun (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN) ,  LEE Dong Hun (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN) ,  KANASHIMA Takeshi (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN) ,  OKUYAMA Masanori (Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-Cho, Toyonaka, Osaka, 560-5831, JPN)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 254  Issue： 21  Page： 6932-6936  Publication year： Aug. 30, 2008 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hafnium oxide ,  insulating film ,  *Germanium ,  *fluorination ,  *MIS structure ,  MOCVD ,  state density ,  interface (surface) ,  X-ray photoelectron spectrum ,  depth profile ,  capacitance-voltage characteristic ,  gate dielectric film ,  *photo-MOCVD

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (6)： HfO2 ,  Ge ,  ゲートスタック ,  ゲルマニウム ,  フッ素処理 ,  特性改善