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J-GLOBAL ID：200902226368809071   Reference number：04A0255530

Field-Induced Positive Oxide Charge in Radiation-Damaged Oxide Layers on n-Type Silicon Wafers

n型Siのウエハ上の照射損傷を受けた酸化層における電場誘起の正の酸化物電荷

Author (2)： MUNAKATA C (Tohoku Inst. Technol., Sendai, JPN) ,  MIZUTANI T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 2B  Page： L290-L292  Publication year： Feb. 15, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes of other materials  (BK16124V) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Reference (13)：

• 1) C. Munakata and H. Shimizu: Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 40.
• 2) B. E. Deal, M. Sklar, A. S. Grove and E. H. Snow: J. Electrochem. Soc. 114 (1967) 266.
• 3) R. S. Muller and T. I. Kamins: Device Electronics for Integrated Circuits (John Wiley & Sons, New York, 1986) 2nd ed., p. 404.
• 4) C. Munakata and K. Watanabe: Semicond. Sci. Technol. 6 (1991) 612.
• 5) K. Kinameri, C. Munakata and K. Mayama: J. Phys. E 21 (1988) 91.

Terms in the title (8)： Si ,  ウエハ ,  照射損傷 ,  酸化層 ,  電場 ,  誘起 ,  酸化物 ,  電荷