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J-GLOBAL ID：200902227463170327   Reference number：08A0566786

Spin-Torque Magneto-reversal Phenomenon in an L1₀-Ordered Alloy and Future Prospects for Spin-RAM Application

遷移金属-貴金属系規則合金薄膜の構造と磁性,新たな応用 L1₀型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性

Author (7)： YAKUSHIJI KEI (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  YUASA SHINJI (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  FUKUSHIMA AKIO (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  KUBOTA HITOSHI (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  NAGAHAMA TARO (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  KATAYAMA TOSHIKAZU (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門) ,  ANDO KOJI (産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門)
Material： まぐね  (Magnetics Japan)
Volume： 3  Issue： 6  Page： 262-270  Publication year： Jun. 01, 2008 
JST Material Number： L5842A  ISSN： 1880-7208  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *platinum base alloy ,  *iron base alloy ,  *magnetoresistive random access memory ,  *magnetization reversal ,  *injection(pour) ,  intermetallic compound ,  magnetic head ,  giant magnetoresistance ,  MBE growth ,  heat resistance
Semi thesaurus term： GMR head ,  L10-type intermetallic compound ,  *spin injection

JST classification (3)： Magnetic domain and magnetization processes of metals  (BM06112D) ,  Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (29)：

• 久保田均. まぐね. 2007, 2, 274
• 細見政功. まぐね. 2007, 2, 606
• HOSOMI, M. Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International. 2005, 459
• 日経エレクトロニクス. 2007, 12-17
• KAWAHARA, T. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2008, 43, 109

Terms in the title (11)： 遷移金属 ,  貴金属 ,  規則 ,  合金薄膜 ,  磁性 ,  応用 ,  垂直磁化 ,  スピン注入 ,  磁化反転 ,  スピンRAM ,  可能性