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J-GLOBAL ID：200902230121454545   Reference number：05A0450508

Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy

分子線エピタクシーによるN極性GaN上へのInN量子ドットの成長

Author (5)： YOSHIKAWA A. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HASHIMOTO N. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KIKUKAWA N. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  CHE S. B. (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  ISHITANI Y. (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 86  Issue： 15  Page： 153115.1-153115.3  Publication year： Apr. 11, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,...
Semi thesaurus term： Stranski-Kastanov成長モード ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： 分子線エピタクシー ,  極性 ,  GaN ,  InN ,  量子ドット ,  成長