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J-GLOBAL ID：200902231702633242   Reference number：05A0541035

Absorption Saturation Energy Density of InGaAs-InAlAs Multiple Quantum Well under Tensile and Compressive Strain

引張歪と圧縮歪下のInGaAs-InAlAs多重量子井戸の吸収飽和エネルギー密度

Author (6)： OKUNO Tsuyoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MASUMOTO Yasuaki (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HIGUCHI Akira (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YOSHINO Hideo (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  BANDO Hiroyuki (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  OKAMOTO Hiroshi (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 44  Issue： 16-19  Page： L558-L560  Publication year： May. 10, 2005 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (11)：

• 1) R. Takahashi, Y. Kawamura, T. Kagawa and H. Iwamura: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1790.
• 2) R. Takahashi, Y. Kawamura and H. Iwamura: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 153.
• 3) W. H. Knox, C. Hirlimann, D. A. B. Miller, J. Shah, D. S. Chemla and C. V. Shank: Phys. Rev. Lett. 56 (1986) 1191.
• 4) T. Okuno, Y. Masumoto, S. Kadono, S. Kitade, H. Bando and H. Okamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L745.
• 5) T. Akiyama, N. Georgiev, T. Mozume, H. Yoshida, A. V. Gopal and O. Wada: IEEE Photon. Technol. Lett. 14 (2002) 495.

Terms in the title (7)： 引張歪 ,  圧縮歪 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  多重量子井戸 ,  飽和 ,  エネルギー密度