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J-GLOBAL ID：200902232032317154   Reference number：05A0154098

Partial Silicides Technology for Tunable Work Function Electrodes on High-k Gate Dielectrics-Fermi Level Pinning Controlled PtSi_x for HfO_x(N) pMOSFET-

高kゲート誘電体上の可調整仕事関数電極のための部分シリサイド技術-HfO_x(N)pMOSFETのためのFermi準位ピンニング制御PtSi_x-

Author (9)： NABATAME T (MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN) ,  KADOSHIMA M (MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN) ,  IWAMOTO K (MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN) ,  MISE N (MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN) ,  MIGITA S (AIST, Tsukuba, JPN) ,  OHNO M (MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN) ,  OTA H (AIST, Tsukuba, JPN) ,  YASUDA N (MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN) ,  TORIUMI A (AIST, Tsukuba, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2004  Page： 83-86  Publication year： 2004 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： 高k誘電体 ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： ゲート誘電体 ,  仕事関数 ,  シリサイド ,  pMOSFET ,  Fermi準位 ,  ピンニング