Zn-In-O系薄膜を用いた電界効果トランジスタとその組成依存性

IWASAKI TATSUYA; ITAGAKI NAHO; DEN TOORU; KUMOMI HIDEYA; NOMURA KENJI; KAMIYA TOSHIO; HOSONO HIDEO; HOSONO HIDEO

Art

J-GLOBAL ID：200902237190453288 Reference number：07A0377278

Zn-In-O系薄膜を用いた電界効果トランジスタとその組成依存性

Publisher site Copy service {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=07A0377278&COPY=1") }}
Access JDreamⅢ for advanced search and analysis. {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0377278&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

Author (8)： , , , , , , ,
Material：
Volume： 54th Issue： 2 Page： 686 Publication year： Mar. 27, 2007
JST Material Number： Y0054A Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

,...

To see more with JDream III (charged). {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0377278&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

Metal-insulator-semiconductor structures , Transistors

, , ,

Return to Previous Page