Art

J-GLOBAL ID：200902237793403021   Reference number：09A0214463

Standby-Power-Free Compact Ternary Content-Addressable Memory Cell Chip Using Magnetic Tunnel Junction Devices

磁気トンネル接合素子を用いた予備電源不要小型三元内容アドレス可能メモリセルチップ

Author (11)： MATSUNAGA Shoun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIYAMA Kimiyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUMOTO Atsushi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASEGAWA Haruhiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi Advanced Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi Advanced Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANYU Takahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 2  Issue： 2  Page： 023004.1-023004.3  Publication year： Feb. 25, 2009 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *tunnel junction ,  memory element ,  semiconductor ,  *CMOS structure ,  spin polarization ,  injection (pour) ,  *nonvolatile memory ,  complementary metal oxide semiconductor ,  *magnetic tunnel junction ,  *MOS structure
Semi thesaurus term： memory cell ,  spin injection

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (16)：

• HANZAWA, S. IEEE Proc. Int. Conf. Communications, 2005. 2005, 1048
• WANG, J.-S. IEEE Int. Solid-State Circuit Conf. Dig. Tech. Pap., 2006. 2006, 166
• KIM, Y.-D. IEEE Int. Solid-State Circuit Conf. Dig. Tech. Pap., 2006. 2006, 168
• IKENAGA, T. IEEE J. Solid-State Circuits. 2000, 35, 536
• LIN, P.-F. IEEE J. Solid-State Circuits. 2002, 37, 1307

Terms in the title (4)： 磁気トンネル接合素子 ,  予備電源 ,  アドレス ,  メモリセル