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J-GLOBAL ID：200902237850505901   Reference number：07A0067458

Time-Domain Component Analysis of Heavy-Ion-Induced Transient Currents in Fully-Depleted SOI MOSFETs

完全空乏型SOI MOSFETにおける重イオン誘起過渡電流の時間領域成分解析

Author (7)： KOBAYASHI Daisuke (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  AIMI Masahiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITO Hirobumi (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  SAITO Hirobumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 53  Issue： 6,Pt.1  Page： 3372-3378  Publication year： Dec. 2006 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SOI structure ,...
Semi thesaurus term： *transient current ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： 完全空乏型SOI ,  MOSFET ,  重イオン ,  誘起 ,  過渡電流 ,  時間領域 ,  解析