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J-GLOBAL ID：200902239262520891   Reference number：03A0381306

A Compact Analytical Model for Asymmetric Single-Electron Tunneling Transistors.

非対称単一電子トンネリングトランジスタのコンパクト解析モデル

Author (2)： INOKAWA H (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 50  Issue： 2  Page： 455-461  Publication year： Feb. 2003 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *single electron transistor ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 非対称 ,  単一電子 ,  トンネリング ,  トランジスタ ,  コンパクト ,  解析モデル