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J-GLOBAL ID：200902239266366889   Reference number：09A0034083

Etching characteristics of GaN by plasma chemical vaporization machining

プラズマ化学蒸発機械加工によるGaNのエッチング特性

Author (9)： NAKAHAMA Yasuji (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  NAKAHAMA Yasuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANETSUKI Norio (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  FUNAKI Takeshi (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  KADONO Masaru (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAMURA Kazuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ENDO Katsuyoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Yuzo (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Surface and Interface Analysis  (SIA)
Volume： 40  Issue： 12  Page： 1566-1570  Publication year： Dec. 2008 
JST Material Number： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  homoepitaxy ,  plasma CVD ,  machining ,  *surface finishing ,  Chlorine ,  Helium ,  compound semiconductor ,  surface analysis ,  *RIE ,  damage and injury ,  surface structure ,  surface temperature ,  surface roughness ,  activation energy ,  density ,  energy density ,  removal ,  size effect ,  surface damage ,  structure
Semi thesaurus term： power density ,  プラズマ化学蒸発機械加工 ,  reactive ion etching

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Salts  (CD01050V) ,  Techniques for samples  (BA02070O)

Terms in the title (5)： プラズマ化学 ,  蒸発 ,  機械加工 ,  GaN ,  エッチング特性