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J-GLOBAL ID：200902239848223462   Reference number：07A0951705

A Resonant Gate-Drive Circuit Capable of High-Frequency and High-Efficiency Operation

低損失・高周波動作が可能なMOSFET用共振形ゲートドライブ回路

Author (2)： ISHIGAKI MASANORI (東京工大 大学院理工学研究科) ,  FUJITA HIDEAKI (東京工大 大学院理工学研究科)
Material： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
Volume： 127  Issue： 10  Page： 1090-1096  Publication year： Oct. 01, 2007 
JST Material Number： X0451A  ISSN： 0913-6339  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： high frequency inverter

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (17)：

• (1) H. Ohashi: “Recent development SiC power device”, J. IEE Japan, Vol. 122, No. 3, pp. 168-171 (2002-3) (in Japanese)
• 大橋弘通: 「最近のパワーデバイスの動向」, 電学誌, 122, 3, pp. 168-171 (2002-3)
• (2) A. D. Pathak and S. Ochi: “Unique MOSFET/IGBT drivers and their applications in future power electronic systems”, Proc. IEEE Conf. on PEDS 2003, Vol. 1, pp. 85-88 (2003)
• (3) K. Takao, T. Yatsuo, and K. Arai: “High di/dt switching characteristics of a SiC shottky barrier diode”, IEEJ Trans. IA, Vol. 124, No. 9, pp. 917-923 (2004-9) (in Japanese)
• 高尾和人・八尾 勉・荒井和雄: 「SiCショットキーバリアダイオードの高 di/dt スイッチング特性」, 電学論D, 124, 9, pp. 917-923 (2004-9)

Terms in the title (5)： 低損失 ,  高周波 ,  MOSFET ,  共振 ,  ゲートドライブ回路