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J-GLOBAL ID：200902240704562880   Reference number：03A0869040

Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eV grown using different techniques and evidence of the actual band gap energy

様々な方法で成長した0.7~2eV領域に吸収端をもつ単結晶InN膜と実際のバンドギャップエネルギーの証拠

Author (6)： BHUIYAN A G (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  SUGITA K (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  KASASHIMA K (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  HASHIMOTO A (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  YAMAMOTO A (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  DAVYDOV V YU (Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 83  Issue： 23  Page： 4788-4790  Publication year： Dec. 08, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： single crystal ,...
Semi thesaurus term： *forbidden band

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JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (6)： 成長 ,  吸収端 ,  単結晶 ,  InN ,  バンドギャップエネルギー ,  証拠