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J-GLOBAL ID：200902247072115217   Reference number：08A0702300

Dependence of Acid Generation Efficiency on Acid Molecular Structure and Concentration of Acid Generator in Chemically Amplified EUV Resist

化学増幅型EUVレジストにおける酸発生効率の酸分子構造および酸発生剤の濃度に対する依存性

Author (5)： HIROSE Ryo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KOZAWA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAGAWA Seiichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAI Toshiyuki (JSR Corp., Mie, JPN) ,  SHIMOKAWA Tsutomu (JSR Corp., Mie, JPN)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 6923  Issue： Pt.2  Page： 69232A.1-69232A.9  Publication year： 2008 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photoacid generator ,  *chemically amplified resist ,  efficiency ,  extreme ultraviolet ,  *photolithography ,  sulfonate ,  aliphatic fluorine compound
Semi thesaurus term： EUV lithography ,  triflate

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (1)： Diphenyliodonium・triflate

Terms in the title (7)： 化学 ,  増幅 ,  EUVレジスト ,  酸 ,  分子構造 ,  酸発生剤 ,  依存性