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J-GLOBAL ID：200902248048219458   Reference number：05A0306846

Modeling of Reaction Pathways of GaN Growth by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy Using TMGa/NH₃/H₂ System: A Computational Fluid Dynamics Simulation Study

TMGa/NH₃/H₂システムを用いた有機金属気相エピタキシーによるGaN成長の反応経路のモデル化:コンピュータによる流体力学シミュレーション研究

Author (3)： HIRAKO A (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KUSAKABE K (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  OHKAWA K (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 2  Page： 874-879  Publication year： Feb. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Trimethyl gallium

Reference (25)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 2) S. Nakamura, Y. Harada and M. Seno: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 2021.
• 3) S. A. Safvi, J. M. Redwing, M. A. Tischler and T. F. Kuech: J. Electrochem. Soc. 144 (1997) 1789.
• 4) S. Yu. Karpov, V. G. Prokofyev, E. V. Yakovlev, R. A. Talalaev and Yu. N. Makarov: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4 (1998) 4.
• 5) A. Thon and T. F. Kuech: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 55.

Terms in the title (10)： NH3 ,  H2 ,  有機金属気相エピタキシー ,  GaN ,  成長 ,  反応経路 ,  モデル化 ,  コンピュータ ,  流体力学シミュレーション ,  研究