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J-GLOBAL ID：200902249524499479   Reference number：06A0370645

Direct epitaxial growth of semiconducting β-FeSi2 thin films on Si(111) by facing targets direct-current sputtering

対向ターゲット直流スパッタリングによるSi(111)上半導体β-FeSi₂薄膜の直接エピタキシャル成長

Author (4)： YOSHITAKE T. (Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  INOKUCHI Y. (Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  YURI A. (Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  NAGAYAMA K. (Dep. of Aeronautics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 18  Page： 182104-182104-3  Publication year： May. 01, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： reverse direction ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： ターゲット ,  直流 ,  スパッタリング ,  Si ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長