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J-GLOBAL ID：200902251721771991   Reference number：04A0851438

Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors

非晶質酸化物半導体を使った透明でフレキシブルな薄膜トランジスタの室温形成

Author (6)： NOMURA K (JST-ERATO, Yokohama, JPN) ,  OHTA H (JST-ERATO, Yokohama, JPN) ,  TAKAGI A (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA T (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HIRANO M (JST-ERATO, Yokohama, JPN) ,  HOSONO H (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 432  Issue： 7016  Page： 488-492  Publication year： Nov. 25, 2004 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (4)： 非晶質 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  室温