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J-GLOBAL ID：200902256713801344   Reference number：05A0063453

Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO

p-型ドーピングに対する繰返し温度変調エピタクシーとZnO基の発光ダイオード

Author (9)： TSUKAZAKI A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHTOMO A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ONUMA T (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  MAKINO T (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  SUMIYA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  CHICHIBU S F (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SEGAWA Y (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Nature Materials  (Nat Mater)
Volume： 4  Issue： 1  Page： 42-46  Publication year： Jan. 2005 
JST Material Number： W1364A  ISSN： 1476-1122  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： laser heating ,...

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JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Crystal growth of oxides  (BK13050I) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (6)： 型 ,  ドーピング ,  温度変調 ,  エピタクシー ,  ZnO ,  発光ダイオード