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J-GLOBAL ID：200902257123822202   Reference number：04A0858903

Extremely high electron mobility of pseudomorphic In_0.74Ga_0.26As/In_0.46Al_0.54As modulation-doped quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy

分子ビームエピタクシーによって(411)A-InP基板上に成長させた仮像In_0.74Ga_0.26As/In_0.46Al_0.54As変調ドープ量子井戸の非常に大きな電子移動度

Author (5)： KITADA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  AOKI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE I (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMOMURA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HIYAMIZU S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 85  Issue： 18  Page： 4043-4045  Publication year： Nov. 01, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (7)： 分子ビームエピタクシー ,  InP ,  成長 ,  仮像 ,  変調ドープ ,  量子井戸 ,  電子移動度