Art

J-GLOBAL ID：200902257807314397   Reference number：09A0277469

LET Dependence of Single Event Transient Pulse-Widths in SOI Logic Cell

SOI論理セルにおけるシングルイベント過渡パルス幅のLET依存性

Author (16)： MAKINO Takahiro (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  YANAGAWA Yoshimitsu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITO Hirobumi (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  SAITO Hirobumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKEDA Hirokazu (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  IKEDA Hirokazu (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Daisuke (Mitsubishi Heavy Ind. Ltd., Aichi, JPN) ,  ISHII Shigeru (Mitsubishi Heavy Ind. Ltd., Aichi, JPN) ,  KUSANO Masaki (Mitsubishi Heavy Ind. Ltd., Aichi, JPN) ,  ONODA Shinobu (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  HIRAO Toshio (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  OHSHIMA Takeshi (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 56  Issue： 1,Pt.2  Page： 202-207  Publication year： Feb. 2009 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SEU ,  Linear Energy Transfer ,  *SOI structure ,  logic circuit ,  logic element ,  pulse duration ,  heavy ion irradiation ,  100-1000MeV ,  code converter ,  NMOS structure ,  radiation damage ,  VLSI ,  *soft error ,  carrier recombination
Semi thesaurus term： *Single Event Transient Pulse ,  VLSI ,  *transient current

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： SOI ,  論理セル ,  イベント ,  パルス幅 ,  LET ,  依存性