Art

J-GLOBAL ID：200902258555020430   Reference number：05A0969189

III-Nitride UV Devices

III族窒化物のUVデバイス

Author (5)： KHAN M. Asif (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  SHATALOV M. (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  MARUSKA H. P. (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  WANG H. M. (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  KUOKSTIS E. (Univ. South Carolina, SC, USA)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 10  Page： 7191-7206  Publication year： Oct. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *compound semiconductor ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0969189&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (3)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Photometry and photodetectors in general  (BD07031F) ,  Light sources  (BD07020D)

Reference (219)：

• 1) Compound Semiconductor, March 2005, p. 12.
• 2) J. P. Zhang: unpublished.
• 3) M. Bockowski, I. Grzegory, S. Krukowski, B. Lucznik, M. Wróblewski, G. Kamler, J. Borysiuk, P. Kwiatkowski, K. Jasik and S. Powrowski: J. Cryst. Growth 270 (2004) 409.
• 4) W. Zhang and B. K. Meyer: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 1571.
• 5) J. C. Rojo, G. A. Slack, K. Morgan, B. Raghothamacher, M. Dudley and L. J. Schowalter: J. Cryst. Growth 231 (2001) 317.

Terms in the title (2)： III族 ,  窒化物