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J-GLOBAL ID：200902258581462459   Reference number：04A0693054

高移動度(>10cm²/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO₄の室温製膜とキャリア輸送特性

Author (7)： KAMIYA TOSHIO (東京工大 応用セラミックス研) ,  NOMURA KENJI (東京工大 応用セラミックス研) ,  TAKAGI AKIHIRO (東京工大 応用セラミックス研) ,  OTA HIROMICHI (JST-ERATO) ,  YANAGI HIROSHI (東京工大 応用セラミックス研) ,  HIRANO MASAHIRO (JST-ERATO) ,  HOSONO HIDEO (東京工大 応用セラミックス研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 65th  Issue： 2  Page： 791  Publication year： Sep. 01, 2004 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *amorphous semiconductor ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 高移動度 ,  Vs ,  アモルファス ,  酸化物半導体 ,  室温 ,  製膜 ,  キャリア ,  輸送特性