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J-GLOBAL ID：200902259403166788   Reference number：09A1035359

Hysteresis Behavior of Capacitance-Voltage Curve in (Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃ Thick Films Caused by Strained Heterostructure

(Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃厚膜で歪ヘテロ構造により生じた容量-電圧曲線のヒステリシス挙動

Author (5)： KAWAE Takeshi (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  FUKUDA Yuji (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  MORITO Kentaro (Taiyo Yuden Co., Ltd., Gunma, JPN) ,  MUNEMOTO Kenshiro (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  MORIMOTO Akiharu (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 9,Issue 2  Page： 09KA12.1-09KA12.4  Publication year： Sep. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ferroelectrics ,  *barium compound ,  *strontium compound ,  *titanate ,  substitutional solid solution ,  epitaxy ,  *thick film ,  substrate(plate) ,  strontium titanate ,  doping ,  niobium ,  electrode material ,  lanthanum compound ,  cobaltate ,  membrane stress ,  lattice constant ,  capacitance-voltage characteristic ,  hysteresis

JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (10)：

• C. S. Hwang, S. O. Park, H. J. Cho, C. S. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee: Appl. Phys. Lett.67(1995)2819.
• S. W. Kirchoefer, E. J. Cukauskas, N. S. Barker, H. S. Newman, and W. Chang: Appl. Phys. Lett.80(2002)1255.
• M. Noda, S. Watanabe, K. Seki, T. Kanashima, and M. Okuyama: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)7500.
• K. Iijima, T. Terashima, Y. Bando, K. Kamigaki, and H. Terauchi: J. Appl. Phys.72(1992)2840.
• Z. Wang, T. Yasuda, S. Hatatani, and S. Oda: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999)6817.

Terms in the title (6)： 厚膜 ,  歪 ,  ヘテロ構造 ,  曲線 ,  ヒステリシス ,  挙動