Art

J-GLOBAL ID：200902261620101230   Reference number：09A0740370

発光デバイスの現状と将来 Part 2【無機発光デバイス】超高密度量子ドット作製技術

Author (1)： OTANI NAOKI (同志社大 理工)
Material： 未来材料  (Expected Materials for the Future)
Volume： 9  Issue： 7  Page： 26-31  Publication year： Jul. 10, 2009 
JST Material Number： L4328A  ISSN： 1346-0986  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *quantum dot ,  *compound semiconductor ,  production technology ,  *laminate structure ,  relaxation phenomenon ,  confinement ,  carrier ,  state density ,  surface structure ,  atomic force microscope ,  *antimonide ,  gallium compound ,  indium compound ,  self-organizing ,  substrate (plate) ,  gallium arsenide ,  fluorescence spectrum ,  semiconductor laser ,  structure
Semi thesaurus term： *アンチモン系量子ドット ,  making technology ,  *積層量子ドット ,  *超高密度量子ドット ,  strain relaxation

JST classification (3)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (14)：

• Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Letts., 40, 939(1982).
• L. Esaki and R. Tsu: IBM Res. Note, RC-2418(1969).
• L. Esaki and R. Tsu: IBM J. Res. Develop., 61(1970).
• R. Chin, N. Holonyak, Jr. and B. A. Vojak: Appl. Phys. Letts., 36, 19(1980).
• N. Holonyak, Jr., R. M. Kolbas, R. D. Dupuis and P. D. Daplus: IEEE J. Quantum Electron., QE-16, 170(1980).

Terms in the title (6)： 発光デバイス ,  現状 ,  将来 ,  高密度 ,  量子ドット ,  作製技術