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J-GLOBAL ID：200902262223454891   Reference number：06A0330944

High-Speed Resistive Switching of TiO₂/TiN Nano-Crystalline Thin Film

TiO₂/TiNナノ結晶薄膜の高速抵抗スイッチング

Author (5)： FUJIMOTO Masayuki (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  KOYAMA Hiroshi (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  HOSOI Yasunari (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  ISHIHARA Kazuya (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  KOBAYASHI Shinji (Sharp Corp., Nara, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 45  Issue： 8-11  Page： L310-L312  Publication year： Mar. 25, 2006 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： titanium compound ,...
Semi thesaurus term： フィラメントパス

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Memory units  (JC04060F)

Reference (13)：

• LIU, Q. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2749
• ZHUANG, W. W. Int. Electron Devices Meet., Tech. Dig., 2002. 2002, 193
• OVSHINSKY, S. R. Phys. Rev. Lett. 1968, 21, 1450
• BAEK, I. G. Int. Electron Devices Meet., Tech. Dig., 2004. 2004, 587
• SEO, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5655

Terms in the title (4)： TiO2 ,  TiN ,  ナノ結晶薄膜 ,  抵抗スイッチング