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J-GLOBAL ID：200902262634197385   Reference number：09A0717444

Low-leakage p-type diamond Schottky diodes prepared using vacuum ultraviolet light/ozone treatment

真空紫外光/オゾン処理を用いて作製した低リークp型ダイヤモンドSchottkyダイオード

Author (4)： TERAJI T. (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  GARINO Y. (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  KOIDE Y. (Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  ITO T. (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 ...)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 105  Issue： 12  Page： 126109  Publication year： Jun. 15, 2009 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Diamond ,  *Schottky barrier diode ,  P-type semiconductor ,  ultraviolet irradiation ,  *surface modification ,  gold electrode ,  *leakage current ,  ozonation ,  ohmic contact ,  *boron doped diamond ,  hydrogen terminated ,  *ore ,  *precious stone

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (5)： オゾン処理 ,  作製 ,  リーク ,  ダイヤモンド ,  Schottkyダイオード