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J-GLOBAL ID：200902263448081918   Reference number：04A0323457

Investigation of Shape Transformation of Silicon Trenches during Hydrogen Annealing

水素アニーリング時におけるシリコン溝の形状転移の研究

Author (5)： KURIBAYASHI H (Fuji Electric Advanced Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  HIRUTA R (Fuji Electric Advanced Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  SHIMIZU R (Fuji Electric Advanced Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  SUDOH K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IWASAKI H (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 4A  Page： L468-L470  Publication year： Apr. 01, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (18)：

• 1) N. Fujishima and T. A. Salama: IEDM Tech. Dig. (1997) p. 359.
• 2) Y.-K. Choi, L. Chang, P. Ranade, J.-S. Lee, D. Ha, S. Balasubramanian, A. Agarwal, M. Ameen, T.-J. King and J. Bokor: IEDM Tech. Dig. (2002) p. 259.
• 3) K. Yamabe and K. Imai: IEEE Trans. Electron Devices ED-34 (1987) 1681.
• 4) T. Sato, N. Aoki, I. Mizushima and Y. Tsunashima: IEDM Tech. Dig. (1999) p. 517.
• 5) T. Sato, K. Mitsutake, I. Mizushima and Y. Tsunashima: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 5033.

Terms in the title (4)： 水素 ,  アニーリング ,  シリコン ,  研究