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J-GLOBAL ID：200902268088274266   Reference number：09A0063205

Development of Gate Drive Circuit for Next-Generation Ultra High-Speed Switching Devices

次世代超高速スイッチング素子ゲート駆動回路の開発

Author (3)： NOGUCHI TOSHIHIKO (長岡技術科学大学) ,  YAJIMA SATOSHI (長岡技術科学大学) ,  KOMATSU HIROYOSHI (長岡技術科学大学)
Material： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
Volume： 129  Issue： 1  Page： 46-52 (J-STAGE)  Publication year： 2009 
JST Material Number： X0451A  ISSN： 0913-6339  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *switching element ,  high speed ,  *silicon carbide ,  *gate (semiconductor) ,  *driving circuit ,  MOSFET ,  stray capacity ,  electric current ,  electromagnetic compatibility (interference)
Semi thesaurus term： super-high-speed ,  common mode current ,  EMI

JST classification (1)： Other electronic circuits  (NC05090X)

Reference (11)：

• (1) 荒井和雄・吉田貞史: 「SiC素子の基礎と応用」, オーム社 (2003)
• (2) K. Takao, T. Yatsuo, and K. Arai: “High di/dt Switching Characteristics of SiC Schottky Barrier Diode”, Trans. IEEJ, Vol. 124-D, No. 9, pp. 917-923 (2004-9) (in Japanese)
• 高尾和人・八尾 勉・荒井和雄: 「SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性」, 電学論D, 124, 9, pp. 917-923 (2004-9)
• (3) T. Takeshige and T. Noguchi: “Implementation and Operating Characteristics of 2-MHz Inverter Using High-Speed MOSEFTS”, IEEJ, SPC-04-56, pp. 51-56 (2004) (in Japanese)
• 竹重隆正・野口季彦: 「超高速MOSFETを用いた2MHzインバータの実装と動作特性」, 電学SPC, SPC-04-56, pp. 51-56 (2004)

Terms in the title (5)： 次世代 ,  超高速 ,  スイッチング素子 ,  ゲート駆動回路 ,  開発