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J-GLOBAL ID：200902269226635662   Reference number：03A0873560

Electrical Properties of Ruthenium/Metalorganic Chemical Vapor Deposited La-Oxide/Si Field Effect Transistors

ルテニウム/有機金属化学気相成長によるランタン酸化物/シリコン電界効果トランジスタの電気的性質

Author (3)： SHIMIZU T (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ISHII K (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI E (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 11A  Page： L1315-L1317  Publication year： Nov. 01, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (16)：

• 1) H. Iwai, S. Ohmi, S. Akama, C. Ohshima, A. Kikuchi, I. Kashiwagi, J. Taguchi, H. Yamamoto, J. Tonotani, Y. Kim, I. Ueda, A. Kuriyama and Y. Yoshihara: IEDM Tech. Dig., Washington D. C. (2002) p. 625.
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• 3) C. H. Huang, S. B. Chen and A. Chin: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 710.
• 4) S. Guha, E. Cartier, M. A. Gribelyuk, N. A. Bojarczuk and M. Copel: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2710.
• 5) M. Copel, E. Cartier and F. M. Ross: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 1607.

Terms in the title (7)： ルテニウム ,  有機金属化学 ,  気相成長 ,  ランタン酸化物 ,  シリコン ,  電界効果トランジスタ ,  電気的性質