Art

J-GLOBAL ID：200902273831379136   Reference number：09A1295045

Formation of 100 μm Deep Vertical Pores in Si Wafers by Wet Etching and Cu Electrodeposition

湿式化学エッチングによるSi中の100μm深さの垂直細孔の形成およびCu電着

Author (5)： LEE Chia-Lung (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TSURU Shinsuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANDA Yuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IKEDA Shigeru (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUMURA Michio (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 156  Issue： 12  Page： D543-D547  Publication year： 2009 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： etching ,  silicon ,  gold compound ,  transition metal catalyst ,  fine particle ,  Hydrogen Peroxide ,  *Copper ,  *electrodeposition ,  dependence ,  *micro structure ,  wet etching ,  Au catalyst ,  Hydrofluoric Acid ,  voltage dependency
Semi thesaurus term： chemical etching ,  wet etching ,  silicon ,  *microstructure

JST classification (3)： Electrochemical reaction  (CB07050F) ,  Solid-liquid interface  (CB12050B) ,  Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D)

Terms in the title (6)： 化学エッチング ,  Si ,  垂直 ,  細孔 ,  Cu ,  電着