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J-GLOBAL ID：200902275195611875   Reference number：09A0458658

Study on Stability of Pentacene-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes in Air Using Capacitance-Voltage Characteristics

容量電圧特性を用いた空気中のペンタセン系MOSダイオードの安定性に関する研究

Author (5)： AKHTARUZZAMAN Md. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHMI Shun-ichiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NISHIDA Jun-ichi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMASHITA Yoshiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 4,Issue 2  Page： 04C178.1-04C178.3  Publication year： Apr. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： capacitance-voltage characteristic ,  *diode ,  MOS structure ,  *stability ,  hysteresis ,  voltage ,  electron capture ,  *organic semiconductor ,  semiconductor material ,  polyacene
Semi thesaurus term： flat band voltage

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Substance index (1)： Pentacene

Reference (20)：

• C. D. Dimitrakopoulos and D. J. Mascaro: IBM J. Res. Dev.45(2001)11.
• J. Zaumseil and H. Sirringhaus: Chem. Rev.107(2007)1296.
• H. Kawaguchi, T. Someya, T. Sekitani, and T. Sakurai: IEEE J. Solid-State Circuits 40(2005)177.
• M. Kitamura and Y. Arakawa: J. Phys.: Condens. Matter 20(2008)184011.
• J. H. Na, M. Kitamura, and Y. Arakawa: Appl. Phys. Express 1(2008)021803.

Terms in the title (6)： 容量電圧特性 ,  空気中 ,  ペンタセン ,  MOSダイオード ,  安定性 ,  研究