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J-GLOBAL ID：200902277939634251   Reference number：05A0825793

Deposition of SiC films by ion-enhanced plasma chemical vapor deposition using tetramethylsilane+H₂

テトラメチルシラン+H₂を用いたイオン支援プラズマ化学蒸着によるSiC膜の堆積

Author (5)： YOSHINO M. (Hokkaido Polytechnic Coll., Zenibako 3-190, Otaru 047-0292, JPN) ,  SHIMOZUMA M. (Dep. of Health Sciences, School of Medicine, Hokkaido Univ., Sapporo 060-0812, JPN) ,  DATE H. (Dep. of Health Sciences, School of Medicine, Hokkaido Univ., Sapporo 060-0812, JPN) ,  ITOH H. (Muroran Inst. of Technol., Muroran 050-8585, JPN) ,  TAGASHIRA H. (Muroran Inst. of Technol., Muroran 050-8585, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 492  Issue： 1-2  Page： 207-211  Publication year： Dec. 01, 2005 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Mechanical properties of solids in general  (BL01021C) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Substance index (1)： Tetramethylsilane

Terms in the title (6)： テトラメチルシラン ,  イオン ,  支援 ,  プラズマ化学蒸着 ,  SiC ,  堆積