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J-GLOBAL ID：200902279026755502   Reference number：08A0996318

Electrochromism and Electronic Structures of Nitrogen Doped Tungsten Oxide Thin Films Prepared by RF Reactive Sputtering

RF反応性スパッタリングで作製した窒素ドープ酸化タングステン薄膜のエレクトロクロミズムと電子構造

Author (5)： NAKAGAWA Koichi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  MIURA Noboru (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  MATSUMOTO Setsuko (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  NAKANO Ryotaro (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  MATSUMOTO Hironaga (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 9 Issue 1  Page： 7230-7235  Publication year： Sep. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： reactive sputtering ,  Nitrogen ,  doping ,  *tungsten oxide ,  *electrochromism ,  *electronic structure ,  optical absorption spectrum ,  molecular orbital method

JST classification (1)： Electrooptical effects,magnetooptical effects  (BM08020L)

Reference (36)：

• S. K. Deb: Appl. Opt. Suppl.3(1969)192.
• S. K. Deb: Philos. Mag.27(1973)801.
• A. I. Gavlyryuk, B. P. Zakharchenya, and F. A. Chudonovskii: Sov. Tech. Phys. Lett.6(1980)601.
• M. Akiyama, J. Tamaki, N. Miura, and N. Yamazoe: Chem. Lett.20(1991)1611.
• H. Wang, P. Xu, and T. Wang: Mater. Des.23(2002)331.

Terms in the title (8)： RF ,  反応性スパッタリング ,  作製 ,  窒素ドープ ,  酸化タングステン ,  薄膜 ,  エレクトロクロミズム ,  電子構造