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J-GLOBAL ID：200902279279755940   Reference number：09A0004668

Electroless Ni-B plating on SiO₂ with 3-aminopropyl-triethoxysilane as a barrier layer against Cu diffusion for through-Si via interconnections in a 3-dimensional multi-chip package

3次元マルチチップパッケージにおけるSi貫通ビア相互接続のためのCu拡散に対するバリア層としての3-アミノプロピルトリエトキシシランを用いたSiO₂上のNi-B無電解めっき

Author (4)： IKEDA Akihiro (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN) ,  SAKAMOTO Atsushi (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN) ,  HATTORI Reiji (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN) ,  KUROKI Yukinori (Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., Moto-oka 744 Nishi-ku, Fukuoka, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 517  Issue： 5  Page： 1740-1745  Publication year： Jan. 01, 2009 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electroless plating ,  *nickel base alloy ,  boron containing alloy ,  *diffusion barrier ,  interconnection ,  multichip packaging ,  Copper ,  metallic thin film ,  aliphatic amine ,  organosilicon compound ,  primary amine
Semi thesaurus term： copper ,  *nickel base alloy

JST classification (2)： Hydrid integrated circuit  (NC03163K) ,  Electroless plating  (WC08024S)

Substance index (1)： 3-Aminopropyltriethoxysilane

Terms in the title (9)： 3次元 ,  Si貫通ビア ,  相互接続 ,  Cu ,  拡散 ,  バリア層 ,  アミノプロピルトリエトキシシラン ,  SiO2 ,  無電解めっき