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J-GLOBAL ID：200902280245396168   Reference number：09A0927281

Low-temperature thermionic emission from nitrogen-doped nanocrystalline diamond films on n-type Si grown by MPCVD

MPCVD法によって成長したn-タイプSi上の窒素ドープしたナノ結晶ダイヤモンド膜からの低温の熱イオン放射

Author (4)： SUZUKI Mariko (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN) ,  ONO Tomio (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN) ,  SAKUMA Naoshi (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN) ,  SAKAI Tadashi (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 18  Issue： 10  Page： 1274-1277  Publication year： Oct. 2009 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *diamond ,  thin film ,  dopant ,  nitrogen ,  plasma CVD ,  nano crystal ,  *thermionic emission ,  voltage dependence ,  current density

JST classification (3)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Thermoionic emission and field emission  (BM09020S) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (9)： MPCVD ,  成長 ,  タイプ ,  Si ,  窒素ドープ ,  ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  低温 ,  熱イオン ,  放射