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J-GLOBAL ID：200902283314572550   Reference number：09A0123387

Development of Rotating Box Type Multi-Facing Target Sputtering System for a Multi-layered Structure Device

多層構造デバイス用の回転ボックス型多元対向ターゲットスパッタリング装置の開発

Author (1)： MOROHASHI Shinichi (Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
Material： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Trans Mater Res Soc Jpn)
Volume： 33  Issue： 4  Page： 861-864  Publication year： Dec. 2008 
JST Material Number： L4468A  ISSN： 1382-3469  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *sputtering system ,  *target ,  *multistory structure ,  *superconducting junction ,  *tunnel junction ,  detector ,  magnetron sputtering ,  ion ,  electron collision ,  damage and injury ,  leakage current ,  quasiparticle ,  fine particle ,  capture ,  *plasma density ,  *low temperature ,  vapor deposition ,  compactness ,  ceramic membrane ,  silicon oxide ,  thin film growth ,  evaporated film ,  radiation detector ,  X-ray detector ,  *Energy efficient technologies ,  *saving
Semi thesaurus term： *energy saving ,  semiconductor device ,  detector ,  electron impact ,  collection efficiency

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Other superconducting applications  (BM04044V)

Reference (11)：

• N. E. Booth and D. J. Goldie, Supercond. Sci. Technol., 9(1996) 493.
• M. Gurvich, M. A. Washington and H. A. Huggins, Appl. Phys. Lett., 42(1983) 472.
• S. Morohashi, F. Shinoki, A. Shoji, M. Aoyagi and H. Hayakawa, Appl. Phys. Lett., 46(1985) 1179.
• S. Morohashi and S. Hasuo, J. Appl. Phys., 61(1987) 4835.
• M. Naoe, Y. Hoshi, S. Yamanaka and M. Kume, J. J. Appl. Lett., 22(1983) 1519.

Terms in the title (5)： 多層構造 ,  ボックス ,  ターゲット ,  スパッタリング装置 ,  開発