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J-GLOBAL ID：200902283643148939   Reference number：03A0184108

Growth of a Large GaN Single Crystal Using the Liquid Phase Epitaxy(LPE) Technique.

液相エピタクシー(LPE)法を使った大きいGaN単結晶の成長

Author (7)： KAWAMURA F (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  IWAHASHI T (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  OMAE K (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  MORISHITA M (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  YOSHIMURA M (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  SASAKI T (Osaka Univ., Suita, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 1A/B  Page： L4-L6  Publication year： Jan. 15, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (12)：

• 1) A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2259.
• 2) I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98 (1989) 209.
• 3) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: J. Appl. Phys. 71 (1992) 5543.
• 4) D. Elwell and H. J. Scheel: Crystal Growth from High Temperature Solution (Academic Press, New York, 1975).
• 5) J. Karpinski, J. Jun and S. Porowski: J. Cryst. Growth 66 (1989) 1.

Terms in the title (4)： 液相エピタクシー ,  法 ,  GaN ,  単結晶の成長