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J-GLOBAL ID：200902286066964542   Reference number：03A0659294

Si基板上でのエピタキシャル強誘電体薄膜の配向制御法の確立

Author (8)： OKAMOTO SHOJI (東京工大 総理工) ,  WATANABE TAKAYUKI (東京工大 総理工) ,  MORIOKA HITOSHI (東京工大 総理工) ,  YOKOYAMA SHINTARO (東京工大 総理工) ,  AKIYAMA KENSUKE (東京工大 総理工) ,  MURANAKA KAZUKI (北陸先端科学技術大学院大) ,  HORITA SUSUMU (北陸先端科学技術大学院大) ,  FUNAKUBO HIROSHI (東京工大 総理工)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 64th  Issue： 2  Page： 505  Publication year： Aug. 30, 2003 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： *PZT ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Terms in the title (4)： Si基板 ,  エピタキシャル ,  強誘電体薄膜 ,  配向制御