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J-GLOBAL ID：200902286205593589   Reference number：05A0521915

Momentum-imaging spectroscopy of secondary ions from GaN and SiC surfaces collided with highly charged ions at grazing angle

多価イオンがかすめ角で衝突したGaNとSiC表面からの二次イオンの運動量画像分光法

Author (3)： MOTOHASHI Kenji (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  TSURUBUCHI Seiji (Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  KOUKITU Akinori (Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., 2-24-16 Koganei, Tokyo 184-8588, JPN)
Material： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
Volume： 232  Issue： 1-4  Page： 254-260  Publication year： May. 2005 
JST Material Number： H0899A  ISSN： 0168-583X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： ポテンシャルスパッタリング

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JST classification (1)： Ion emission  (BM09070V)

Terms in the title (7)： 多価イオン ,  衝突 ,  GaN ,  SiC ,  二次イオン ,  運動量 ,  画像分光法