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J-GLOBAL ID：200902287293362717   Reference number：05A0057735

Surface potential measurements of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by Kelvin probe force microscopy

Kelvinプローブ力顕微鏡によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの表面ポテンシャル測定

Author (5)： NAKAGAMI K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KISHIMOTO S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAEZAWA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 85  Issue： 24  Page： 6028-6029  Publication year： Dec. 13, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ポテンシャル測定