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J-GLOBAL ID：200902288655185742   Reference number：03A0626998

Fabrication and properties of lateral p-i-p structures using single-crystalline CVD diamond layers for high electric field applications

単結晶CVDダイヤモンド層を用いた高電場用横方向p-i-p構造の作製と性質

Author (4)： IRIE M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ENDO S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WANG C L (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ITO T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 12  Issue： 9  Page： 1563-1568  Publication year： Sep. 2003 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *DLC film ,...
Semi thesaurus term： conduction band ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 単結晶 ,  CVD ,  ダイヤモンド層 ,  高電場 ,  横方向 ,  作製 ,  性質