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J-GLOBAL ID：200902288673252376   Reference number：07A0351065

Increase in Collector Current in Hot-Electron Transistors Controlled by Gate Bias

ゲートバイアスによって制御したホットエレクトロントランジスタにおけるコレクタ電流の増加

Author (6)： SUWA Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KASHIMA Issei (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (JST-CREST, Saitama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 46  Issue： 8-11  Page： L202-L204  Publication year： Mar. 25, 2007 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *transistor ,...
Semi thesaurus term： open circuit ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (5)：

• KROEMER, H. J. Vac. Sci. Technol. B. 1983, 1, 126
• MIYAMOTO, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 7221
• MIYAMOTO, Y. Trans. IEICE Electron., C. 2006, E89, 972
• FURUYA, K. 2nd Joint Int. Conf. New Phenomena in Mesoscopic Systems and Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, 2005. 2005, 28
• CHOQUETTE, K. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 1997, 3, 916

Terms in the title (3)： ゲートバイアス ,  ホットエレクトロントランジスタ ,  コレクタ電流