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J-GLOBAL ID：200902291016966840   Reference number：03A0547802

High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems

第三世代シンクロトロン放射源を用いた高分解能高エネルギーX線光電子分光,及びSi高k絶縁体系へのその応用

Author (9)： KOBAYASHI K (JASRI/SPring-8, Hyogo, JPN) ,  YABASHI M (JASRI/SPring-8, Hyogo, JPN) ,  TAKATA Y (RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN) ,  TOKUSHIMA T (RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN) ,  TAMASAKU K (RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN) ,  MIWA D (RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN) ,  NOHIRA H (Musashi Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGITA Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  NAKATSUKA O (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 83  Issue： 5  Page： 1005-1007  Publication year： Aug. 04, 2003 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *synchrotron radiation ,...
Semi thesaurus term： interfacial structure

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JST classification (3)： Electron spectroscopy  (BM09060K) ,  Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (8)： 世代 ,  シンクロトロン放射 ,  高分解能 ,  エネルギー ,  X線光電子分光 ,  Si ,  絶縁体 ,  応用